Preparação e caracterização de filmes finos de 'BA''BI IND.2''TA IND.2''O IND.9(BBT)' e 'BA''BI IND.2''NB IND.2''O IND.9(BBN)' - Mazon, Talita [UNESP] (2001)
Nos últimos anos, filmes finos dos óxidos ferroelétricos de camadas de bismuto, também conhecidos como compostos pertencentes à família do Aurivillius, têm sido extensivamente estudados para aplicações em memórias ferroelétricas de acesso aleatório (FERAM). No entanto, muito pouco se sabe a respeito da preparação e propriedades dielétricas de filmes de BaBi2Ta2O9 (BBT) e BaBi2Nb2O9 (BBN), bem como a respeito da estrutura do BBT. Por isso, numa primeira etapa deste trabalho, pós de BBT foram preparados pelo método Pechini, para a determinação da estrutura. A formação de fases foi acompanhada por DRX. O pó calcinado a 800 oC por 2 horas e sinterizado a 850 oC por 4 horas apresentou 100% da fase BBT. A estrutura do BBT foi determinada pelo Método de Rietveld. Verificou-se que o BBT tem estrutura tetragonal com grupo espacial I4/mm, os cátions Ba e Bi compartilham ambos os sítios 2b e 4e. A fórmula (Ba0,70Bi0,30)(Bi1,64Ba0,36)Ta2O9 pode ser usada para escrever sua fórmula unitária. Numa segunda etapa, filmes finos de BBT e BBN foram preparados pelo método químico de Pechini. As soluções foram depositadas por “spin-coanting” em substratos de Pt/TiO2/SiO2/Si e rotacionados a 3000 rpm durante 30 segundos. Após a deposição os filmes foram tratados termicamente entre 600 e 800 oC sob atmosfera de oxigênio. Os filmes foram analisados por DRX, MEV, MFA, MET e propriedades elétricas. Os filmes preparados por este processamento apresentaram microestrutura heterogênea e piores propriedades dielétricas. Visando controlar a microestrutura e obter melhores propriedades dielétricas, foram feitas algumas modificações no processamento, tais como, adição de excesso de bismuto e adição de uma camada intermediária de tungstênio entre as camadas dos filmes de BBT ou BBN. Tanto a adição de excesso de bismuto como a utilização do dopante tungstênio...