Silva, I. d. C. (2021). Óxidos semicondutores como superfícies intensificadoras de espalhamento Raman e caracterização de vacâncias de oxigênio em trióxido de molibdênio fase alfa por espectroscopia Raman.
Referência de acordo com a norma ChicagoSilva, Isaías de Castro. Óxidos Semicondutores Como Superfícies Intensificadoras De Espalhamento Raman E Caracterização De Vacâncias De Oxigênio Em Trióxido De Molibdênio Fase Alfa Por Espectroscopia Raman. 2021.
Referência de acordo com a norma MLASilva, Isaías de Castro. Óxidos Semicondutores Como Superfícies Intensificadoras De Espalhamento Raman E Caracterização De Vacâncias De Oxigênio Em Trióxido De Molibdênio Fase Alfa Por Espectroscopia Raman. 2021.
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