Nanolitografia do silício utilizando o microscópio de força atômica - Santolin, Marcus Antônio (2009)
A indústria de semicondutores está cada vez mais interessada na miniaturização dos dispositivos na faixa nanométrica. Como as técnicas de litografia tradicionais estão alcançando seus limites, cresce a demanda por novas, incluindo aquelas que utilizam equipamentos que operam por sonda, tal como o microscópio de força atômica (AFM). Uma das técnicas que usa o AFM para produzir nanolitografia sobre semicondutores é a oxidação anódica local (LAO) do silício (Si), um dos semicondutores mais utilizados na fabricação de nano- dispositivos. Em geral, a LAO é baseada num mecanismo de anodização assistido por um alto campo elétrico produzido pela diferença de potencial aplicada entre a sonda condutora e o silício. Durante a oxidação alguns dos parâmetros que devem ser controlados são: a velocidade de varredura, a força entre a ponta e a amostra, a umidade relativa do ar, a etapa de limpeza pré-oxidação, dentre outros. No nosso trabalho, investigamos a nano-oxidação anódica no silício pela técnica LAO utilizando sondas condutoras de carbeto de tungstênio. Para este estudo, foi construída uma câmara com controle da umidade relativa do ar adaptada ao AFM. Os resultados obtidos mostram que é possível fazer nano- oxidação com geometrias pré-especificadas em escalas micrométricas e nanométricas, de boa qualidade e estudar a dinâmica da sua rugosidade com eficácia.