Simulação computacional do crescimento epitaxial de CdTe sobre Si(111) - Faria, Tatiana Estorani de (2008)
Muitas aplicações para o CdTe têm sido propostas no desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de baixo custo e alta eficiência, como células solares e detectores de raios X e raios gama. Particularmente a técnica Epitaxia de Paredes Quentes (Hot Wall Epitaxy - HWE) de crescimento de filmes finos tem sido usada no departamento de Física da Universidade Federal de Viçosa em vários experimentos [1, 2]. Recentemente foi proposto por Ferreira e Ferreira [3] um modelo para este crescimento que inclui a difusão e evaporação governadas por configurações microscópicas locais. Este modelo descreve a formação de pontos quânticos de CdTe sobre Si por HWE, processo que segue o modo de crescimento Volmer-Weber. Neste trabalho, estudamos o comportamento do modelo citado para tempos longos, o que não foi apresentado no trabalho original; propomos uma modificação para tornar a difusão simétrica, e estendemos o modelo para duas dimensões, utilizando uma rede triangular para representar o substrato de Si(111). Os resultados apresentados mostram que o modelo proposto, com pequenas modificações, descreve qualitativamente os experimentos de crescimento de CdTe sobre Si(111). Observou-se em uma dimensão que os expoentes dependem da temperatura, em concordância com Ferreira, Ribeiro, et al. [4]. Em duas dimensões, observou-se a formação de ilhas mesmo para apenas uma monocamada depositada, de acordo com o modo de Volmer-Weber observado experimentalmente. Para o número de ilhas em função da temperatura, observou-se dois regimes diferentes, um deles compatível com os resultados experimentais de Ferreira, Paiva, et al. [1].