Superfície de energia potencial global e dinâmica molecular para o estado eletrônico fundamental do SiSH - De Castro, Delvany Gomes (2022)
Neste trabalho é relatada a primeira superfície de energia potencial global analítica para o estado eletrônico fundamental SSiH por meio dos cálculos de estrutura eletrônica com função baseada em energias ab initio calculadas no nível de interação de con guração de múltiplas referências corrigida por Davidson (MRCI) com conjuntos de bases augcc-pV(t+d)Z e aug-cc-pV(q+d)Z e posteriormente com o conjunto de base completo de extrapolação (CBS). A representação analítica segue a metodologia de expansão de muitos corpos de Aguado e Paniagua. Um total de 2.487 pontos ab initio foram usados no ajuste da função analítica com 255 termos lineares e 3 não lineares para o termo de 3 corpos. As características topológicas bem como os caminhos de reação com os pontos de sela da função são apresentados. Um estudo de trajetórias quase clássicas para os sistemas SH + Si → SSi + H e SiH + S → SSi + H são realizados usando a nova função. A primeira colisão apresenta uma reação do tipo barreira com tempo curto de interação na região do mínimo formando o produto SiS, foi apresentada uma análise das trajetórias e a constante de velocidade para a reação. A segunda colisão apresenta uma reação com maior tempo de interação na região do mínimo formando o produto SiS, foi feita uma análise a respeito da geometria de interação para entender o tipo de reação, também foi apresentada a constante da velocidade. O objetivo deste trabalho é apresentar a superfície de energia potencial global para o sistema SSiH e analisar as propriedades cinéticas das reações formando o SiS a partir da dinâmica das trajetórias quase clássicas, produto de ambas as reações é uma espécie muito observada em regiões de formação estelar em torno de uma protoestrela semelhante ao sol na via láctea: L1157-B1, SgrB2 e Orion KL