Fabricação e caracterização de OLEDs utilizando novos transportadores de buracos e novos emissores de luz para aplicações em eletrônica orgânica - Marins, Jefferson da Silva (2018)
O projeto contínuo de desenvolvimento de pesquisas em novos materiais orgânicos mais eficientes, mais puros e com boa estabilidade térmica e morfológica é fundamental para a aplicação em novos dispositivos orgânicos. Nesse contexto, o objetivo dessa tese é a fabricação e caracterização de novos dispositivos orgânicos emissores de luz (OLEDs). Essa pesquisa foi desenvolvida com duas abordagens e aplicações distintas. Na primeira, utiliza-se uma nova classe de derivados de xanteno (XD) como materiais transportadores de buracos, e na segunda, apresenta-se dois novos complexos de Európio como materiais emissores de luz. Na aplicação dos XD como camada transportadora de buracos (CTB) foram fabricados OLEDs bicamada, utilizando-se o material comercial Alq3 como emissor de luz. Os resultados desse estudo foram comparados com dispositivos de referência fabricados com o material comercial α-NPD no lugar dos XD. Todos os dispositivos baseados nos XD apresentaram uma eficiência de corrente mais elevada quando comparados com dispositivos de referência α-NPD. Um estudo teórico e experimental sobre a mobilidade de buracos dos XD e α-NPD mostram que todos os XD possuem mobilidade de buraco mais elevada que o material comercial. A mobilidade de buraco mais elevado na camada dos XD proporcionou um melhor equilíbrio de buracos e elétrons e, portanto, maior recombinação, resultando em eficiência aprimorada. Na segunda parte deste trabalho, foram estudados dois complexos de Európio como emissores de luz na região do vermelho do espectro visível. Os complexos de Európio, [Eu(btfa)3(dmbpy)2] e [Eu (TTA)3(PhenSe)], apresentaram as transições características ⁵D₀ → ⁷FJ (J = 0-4), em solução e em filme fino evaporado termicamente. Com o complexo [Eu(btfa)3(dmbpy)2] foram fabricados dispositivos com duas configurações de diferentes e, embora os OLEDs tenham apresentado uma banda larga devido à contribuição do Alq3, demonstrou-se a fabricação de um OLED eficiente. Já o complexo [Eu (TTA)3(PhenSe)] as eletroluminescências dos dispositivos apresentaram uma banda larga centrada em 580 nm, dificultando assim a observação das transições ⁵D₀ → ⁷FJ (J = 0,1).