Transporte eletrônico em amostras de InAs/GaAs - RIBEIRO, Luiz Henrique (2021)
Este trabalho apresenta o estudo do transporte eletrônico em um conjunto de cinco amostras de semicondutores com multicamadas de InAs/GaAs crescidas pela técnica de epitaxia de feixe molecular. Desenvolveu-se um sistema de comutação automatizado para realizar medições de transporte eletrônico de mobilidade e concentração de portadores usando a técnica de van der Pauw. Para a avaliação do sistema mediu-se foi avaliado através de uma amostra de ITO, bem conhecida na literatura. Em sua avaliação o sistema apresentou resultados condizentes com os esperados. Em seguida foram realizadas as medições das cinco amostras em função da temperatura na faixa de 260K a 310K. Para identificar quais mecanismos de espalhamento mais contribuíram para a limitação da mobilidade, foi necessário utilizar o método da meta-heurística de evolução diferecial auto-adaptativa. Este método permitiu determinar os principais mecanismos de espalhamento que limitam a mobilidade eletrônica no conjunto de amostras estudados são por discordância e fônons. As discordâncias consistem nos defeitos dominantes nesta estrutura devido a incompatibilidade entre as redes de InAs e GaAs. Portanto, para aumentar a mobilidade do portador, propos-se algumas estratégias: uma mudança nos parâmetros de crescimento da amostra, como temperatura do substrato e espessura da camada de InAs/GaAs. Alternativamente, o recozimento das amostras também pode ser considerado para melhorar a mobilidade da amostra.