Estudo do efeito do óxido de silício nas propriedades elétricas e na microestrutura de varistores de ZnO. - BRITO, Kalina Ligia Almeida. (1994)
O presente trabalho estuda a influencia da adição do óxido de silício (SiO2) ao sistema varistor ZnO.Bi20J.Co304.Mn02.Sb2O3. Desta maneira, verificou-se a acção isolada e combinada deste dopante sobre as propriedades elétricas e alterações microestruturais nas amostras cerâmicas sinterizadas em diferentes temperaturas. Para a caracterização elétrica foram realizadas medidas de densidade de corrente em função do campo elétrico aplicado e para a caracterização microestrutural e de fases cerâmicas as técnicas de microscopia eletrônica de varredura (MEV) e difração de raios-X (DRX) foram utilizadas. Verificou-se que o Si02 quando adicionado em pequenas quantidades, atuou como inibidor de crescimento de grãos e favoreceu a formação de microestruturas mais homogêneas. No sistema quinário sem e com presença do dopante (SiiO2) foram caracterizadas as fases P-Bi2O3, p-Zn2Sb2O12 (espinélio) alem da fase ZnO. Observou-se alteração destas fases com o efeito da temperatura de sinterização e do dopante utilizado, alterando a microestrutura e características elétricas do sistema.