Análise de dados da resistividade complexa aparente conjugando polarização induzida espectral e acoplamento eletromagnético - Sant'Ana, Taíla Crístia Souza (2018)
O método da polarização induzida espectral se destaca por fornecer diversas informações geofísico-geológicas através dos parâmetros de polarizabilidade, viabilizando a discriminação mineral no âmbito da exploração mineral. Embora constitua um dos principais ruídos nas medidas desse método, o acoplamento eletromagnético entre eletrodos de corrente e potencial também é capaz de auxiliar na compreensão do cenário geológico. Dessa forma, a maneira mais adequada de lidar com tais dados espectrais é o estudo integrado desses dois fenômenos, levando em conta suas particularidades. Propomos analisar a influência recíproca entre eles através de dados de impedância elétrica mútua e de resistividade complexa aparente sob um arranjo de dipolos elétricos no domínio da frequência. O objetivo é estimar os parâmetros geoelétricos que possibilitem a discriminação mineral. Nesse sentido, são implementadas formulações da impedância elétrica mútua para modelar e interpretar as respostas espectrais de modelos de terra homogênea e de η-camadas. Para a modelagem de meios polarizáveis, é empregado o modelo de resistividade complexa de Dias ou sua versão expandida que abrange o acoplamento eletromagnético. Através do método de inversão Gauss-Newton, os dados de impedância mútua foram invertidos para a determinação da resistividade complexa aparente. A análise de ρ a em diferentes modelos de 3 camadas revela padrões espectrais específicos a variar pelas configurações geométricas adotadas. Os métodos dos Mínimos Quadrados e Very Fast Simulated Annealing se complementam na inversão de ρ a e na estimativa dos sete parâmetros da versão expandida do modelo de resistividade, que são apresentados em pseudo-seções. O estudo foi aplicado em dados reais das áreas de Vermelhos, Baixa Funda e Sussuarana, localizadas no Distrito Cuprífero do Vale do Curaçá. Os espectros de ρ a em Vermelhos e Baixa Funda exibiram comportamentos mais similares, enquanto Sussuarana se distinguiu por apresentar sinais de IP mais intensos. Nas pseudo-seções das três áreas, o parâmetro ρ 0 manifestou um aumento da resistividade com a profundidade. Quanto ao efeito de IP, o parâmetro mais representativo foi a cargabilidade m W , cujas anomalias coincidiram com regiões de resistividades anômalas, com destaque para uma anomalia detectada em Sussuarana.