Teste de SRAMs baseado na integração de March teste e sensores de corrente on-chip - Quispe, Raúl Darío Chipana (2010)
Atualmente é possível observar que a área dedicada a elementos de memória em sistemas embarcados (Systems-on-Chip, SoC) ocupa a maior porção dos circuitos integrados e com o avanço da tecnologia Very Deep Sub-Micron (VDSM), é possível integrar milhões de transistores em uma única área de silício. O fato desta elevada integração faz com que surjam novos tipos de defeitos durante a fabricação das memórias. Assim estes novos desafios exigem o desenvolvimento de novas metodologias de teste de SRAMs capazes não só de detectarem defeitos associados a modelos funcionais, e também associados a resistive-open defects. Neste contexto, o desenvolvimento de novos e mais eficientes metodologias de teste de memória é extremamente importante para garantir tanto a qualidade do processo de fabricação como o seu correto funcionamento em campo. Assim, o objetivo deste trabalho é desenvolver uma metodologia de teste que combina um algoritmo simplificado de March com sensores on-chip que monitoram o consumo de corrente estática da memória. A avaliação da viabilidade e eficiência da metodologia de teste proposta neste trabalho foi feita baseada em simulações elétricas de modelos de falhas aplicadas a um bloco de SRAM. Estas simulações foram desenvolvidas com HSPICE e CosmosScope em ambiente Synopsys. A partir dos resultados obtidos, foi possível verificar a capacidade de detecção das falhas permanentes modeladas. A vantagem desta metodologia reside no desenvolvimento de um algoritmo híbrido de teste de memórias baseado fundamentalmente nos monitoramentos da tensão (através de elementos March) e da corrente estática (através de sensores de corrente on-chip). O resultado desta combinação é um novo algoritmo de teste de SRAMs menos complexo, isto é, capaz de detectar falhas em menor tempo de teste quando comparado com algoritmos existentes, ao passo que garante a mesma cobertura de falhas.