Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de Pb1-x SnxTe utilizando a técnica de epitaxia a partir a da fase líquida - LPE - Eduardo Abramof (1986)
São descritas todas as etapas de fabricação dos lasers, desde o crescimento do monocristal ate a caracterização do dispositivo. A tecnica LPE e utilizada para a formação da junção p-n. São fabricados lasers de PbTe com as seguintes estruturas: p+-n e p+-n-nf. A caracterização do dispositivo a 80K inclui: curva ixV, curva I L xie espectro emitido. Os lasers apresentam densidades de corrente limiar na faixa de 2.5-10 KA/cm 2 e pico de emissão em 5.8 wm. Vários problemas no processo de fabricação e na montagem do laser le vam a degradação do dispositivo depois de um certo tempo de uso.