Simulação numérica bidimensional de crescimento de ligas binárias utilizando processamento paralelo - Nanci Naomi Arai (2001)
A solidificação direcionada de ligas semicondutoras é uma das técnicas mais utilizadas para a obtenção de substratos cristalinos de alta qualidade, constituindo um protótipo de estudo de fenômenos de transporte macroscópicos envolvendo o acoplamento das equações de conservação de massa, momento e energia. As propriedades cristalinas do material obtido dependem fundamentalmente da morfologia e estabilidade da interface sólido-líquido durante o crescimento. O método numérico proposto resolve essas equações de transporte através da discretização por volumes de controle com acompanhamento da interface, e permite operar com propriedades do material e condições de contorno variáveis, incorporando detalhes do diagrama de fases da liga. Foram realizadas simulações bidimensionais de crescimento de ligas binárias utilizando malha fixa, as quais demandam processamento de alto desempenho, devido às altas resoluções temporal e espacial envolvidas. Isso levou a utilizar uma máquina multiprocessada e um multicomputador composto por 2 microcomputadores ligados em rede executando programas compilados em High Performance Fortran (HPF).